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Gallium nitride chip氮化镓芯片

DX1001A氮化镓驱动器

添加时间:2023-09-01 19:13:12

氮化镓驱动器:DX1001A

专业的GaN HEMT功率管驱动IC应具有以下特性:

DX1001 5V、4A Peak current low side Gan driver

产品类别:氮化镓驱动器

应用市场:数据中心、新能源汽车

产品优势:高动态、高频率、稳定性强、成本低

  1. 合适的驱动电平以降低栅极击穿风险;

  2. 兆Hz以上的工作频率;

  3. 纳秒级的传播延迟及上升下降时间以实现高速开关;

  4. 较大的峰值拉灌电流;

  5. 合适的UVLO保护电平防止不饱和开启;

  6. 较小的封装以降低栅极回路电感减小开通关断振铃;

  7. 独立的拉灌驱动方式便于调节开通关断电阻。半桥驱动IC还应具有高边自举电压钳位功能等,防止半桥应用中上管驱动过压风险。