专业的GaN HEMT功率管驱动IC应具有以下特性：

1. 合适的驱动电平以降低栅极击穿风险；

2. 兆Hz以上的工作频率；

3. 纳秒级的传播延迟及上升下降时间以实现高速开关；

4. 较大的峰值拉灌电流；

5. 合适的UVLO保护电平防止不饱和开启；

6. 较小的封装以降低栅极回路电感减小开通关断振铃；

7. 独立的拉灌驱动方式便于调节开通关断电阻。半桥驱动IC还应具有高边自举电压钳位功能等，防止半桥应用中上管驱动过压风险。